Авторы:
Патентообладатель:
Срок действия
30.12.2026На каком языке издана
Вид патента
ОИС
Аннотация (краткое описание)
Полезная модель относится к области энергетики, в частности к переработки агропромышленных отходов, для получения диоксида кремния из рисовой шелухи. Предложен способ получения диоксида кремния из рисовой шелухи, при котором обеспечивается возможность регулирования кристаллической структуры конечного продукта (аморфная форма, кристобалит, кварц и др.) путем точного контроля температурного режима термической обработки, осуществляется за счет многостадийного способа, включающего подготовку сырья, которая предусматривает предварительное удаление загрязнений промывкой дистиллированной водой, сушку при температуре 120 °C в течение не менее 12 часов до постоянной массы, а при необходимости - дополнительную кислотную обработку в растворе хлороводородной кислоты концентрацией 2 моль/л при 85-90 °C в течение 2 часов с последующей промывкой водой до нейтрального значения pH, что обеспечивает эффективную десорбцию ионов металлов (Fe, Ca, Mg, Al и др.), влияющих на фазовую чистоту конечного продукта. Технический результат способа получения заключается в реализации метода фазового управления процессом термохимического превращения биогенного кремнийсодержащего сырья - рисовой шелухи - в диоксид кремния с заданной степенью кристалличности и чистотой (аморфной, частично кристаллизованной или полностью кристаллической и чистотой более 99%), регулируемой через параметры температурной и химической обработки. Для формирования аморфной степени кристалличности диоксида кремния термическую обработку осуществляют при температуре 500-700°C, для формирования частично кристаллизованной степени кристалличности диоксида кремния термическую обработку осуществляют при температуре 800-1000°C, для формирования кристаллической степени кристалличности диоксида кремния термическую обработку осуществляют при температуре 1100-1200°C, далее дополнительно подвергают щелочной экстракции в растворе NaOH с образованием Na₂SiO₃, из которого высокоочищенный диоксид кремния вновь осаждают добавлением концентрированной HCl, после чего продукт промывают водой до нейтрального pH и сушат при температуре 120°C в течение 6 часов.Вид патента
ОИС патента
Дата подачи заявки
26.11.2025№ охранного документа
12131Дата охранного документа
30.04.2026Дата бюллетеня
30.04.2026Статус патента
Данный документ располагается в коллекциях
Патенты
Файлы документа
Документ не загружен